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APT28GA60K - Microsemi
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Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
APT28GA60K 图片
APT28GA60K
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：单路IGBT，TO-220
  • 技术参数：IGBT 600V 50A 223W TO-220
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APT28GA60K 技术参数详情：
  • Microsemi美高森美完整型号：APT28GA60K
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：IGBT 600V 50A 223W TO-220
  • 系列：POWER MOS 8
  • IGBT 类型：PT
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：84A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.5V @ 15V，16A
  • 功率 - 最大值：223W
  • Switching Energy：239J （开）， 170J （关）
  • 输入类型：标准
  • Gate Charge：90nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值：11ns/101ns
  • Test Condition：400V, 16A, 10 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr)：-
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-220 [K]
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