APT100GT120JR - Microsemi
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图片信息
APT100GT120JR
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块,封装:ISOTOP
技术参数:
IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
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APT100GT120JR 技术参数详情:
型号:APT100GT120JR
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:ISOTOP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
描述:IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
包装:管件
产品状态:在售
IGBT 类型:NPT
配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):123 A
功率 - 最大值:570 W
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):3.7V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):100 A
不同Vce 时输入电容 (Cies):6.7 nF @ 25 V
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装:ISOTOP
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