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30KPA42CE3/TR13 - Microsemi
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Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
30KPA42CE3/TR13 图片
30KPA42CE3/TR13
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：二极管TVS，P600
  • 技术参数：TVS DIODE 42VWM P600
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30KPA42CE3/TR13 技术参数详情：
  • Microsemi美高森美完整型号：30KPA42CE3/TR13
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：TVS DIODE 42VWM P600
  • 系列：-
  • 类型：齐纳
  • 单向通道：-
  • 双向通道：1
  • 电压 - 反向关态（典型值）：42V
  • 电压 - 击穿（最小值）：44.19V
  • 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp：-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)：-
  • 功率 - 峰值脉冲：30000W （30kW）
  • 电源线路保护：无
  • 应用：通用
  • 不同频率时的电容：-
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：P600，轴向
  • 供应商器件封装：P600
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