NAND16GW3D2BN6E - Micron
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图片信息
NAND16GW3D2BN6E
制造厂家:
Micron(美光科技)
类别封装:
存储器,产品封装:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
技术参数:
IC FLASH 16GBIT PARALLEL 48TSOP
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NAND16GW3D2BN6E 技术参数详情:
制造商产品型号:NAND16GW3D2BN6E
制造商:Micron Technology(美光科技)
描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL 48TSOP
产品系列:存储器
包装:托盘
系列:-
零件状态:停产
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:闪存 - NAND
存储容量:16Gb(2G x 8)
存储器接口:并联
时钟频率:-
写周期时间-字,页:25ns
访问时间:25ns
电压-供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
产品封装:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
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