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IXYP20N65C3D1M - Littelfuse
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Littelfuse产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IXYP20N65C3D1M 图片
IXYP20N65C3D1M
  • 制造厂家：Littelfuse（力特）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
  • 技术参数：IGBT 650V 18A 50W TO220
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IXYP20N65C3D1M 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IXYP20N65C3D1M
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：IGBT 650V 18A 50W TO220
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：GenX3, XPT
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：PT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：18A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：105A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，20A
  • 功率-最大值：50W
  • 开关能量：430J（开），350J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：30nC
  • 25°C时Td（开/关）值：19ns/80ns
  • 测试条件：400V，20A，20 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：30ns
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-220-3
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