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SSM6J08FUTE85LF - Kioxia
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图片信息
SSM6J08FUTE85LF 图片
SSM6J08FUTE85LF
  • 制造厂家：Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）
  • 类别封装：单端场效应管，US6
  • 技术参数：MOSFET P-CH 20V 1.3A US6
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SSM6J08FUTE85LF 技术参数详情：
  • 东芝半导体公司完整型号：SSM6J08FUTE85LF
  • 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 1.3A US6
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.3A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 650mA， 4V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：370pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：300mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装：US6
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