RN1961(TE85L,F) - Kioxia
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图片信息
RN1961(TE85L,F)
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置,封装:US6
技术参数:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
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RN1961(TE85L,F) 技术参数详情:
型号:RN1961(TE85L,F)
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:US6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
描述:TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基极 (R1):4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):4.7 千欧
不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V
不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 250A,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
频率 - 跃迁:250MHz
功率 - 最大值:200mW
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:US6
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