MT3S113(TE85L,F) - Kioxia
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图片信息
MT3S113(TE85L,F)
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管,封装:S-Mini
技术参数:
RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ S MINI
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MT3S113(TE85L,F) 技术参数详情:
型号:MT3S113(TE85L,F)
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:S-Mini
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
描述:RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ S MINI
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
晶体管类型:NPN
电压 - 集射极击穿(最大值):5.3V
频率 - 跃迁:12.5GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.45dB @ 1GHz
增益:11.8dB
功率 - 最大值:800mW
不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 30mA,5V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:S-Mini
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