HN1B04FU-Y,LF - Kioxia
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图片信息
HN1B04FU-Y,LF
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,封装:US6
技术参数:
TRANS NPN/PNP 50V 150MA US6
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HN1B04FU-Y,LF 技术参数详情:
型号:HN1B04FU-Y,LF
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:US6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
描述:TRANS NPN/PNP 50V 150MA US6
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
晶体管类型:1 NPN,1 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA / 300mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 2mA,6V
功率 - 最大值:200mW
频率 - 跃迁:150MHz
工作温度:125°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:US6
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HN1B04FU-Y,LF
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