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Kioxia产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
GT40WR21,Q 图片
  • 制造厂家:Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-3P(N)
  • 技术参数:IGBT 1350V 40A TO-3P
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GT40WR21,Q 技术参数详情:
  • 型号:GT40WR21,Q
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:TO-3P(N)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 1350V 40A TO-3P
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1350 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):5.9V @ 15V,40A
  • 功率 - 最大值:375 W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:-
  • 25°C 时 Td(开/关)值:-
  • 测试条件:-
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商器件封装:TO-3P(N)
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