IRF8910TRPBF-1 - Infineon
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图片信息
IRF8910TRPBF-1
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:8-SO
技术参数:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
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IRF8910TRPBF-1 技术参数详情:
型号:IRF8910TRPBF-1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:8-SO
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
包装:散装
产品状态:停产
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):13.4 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.55V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):11nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):960pF @ 10V
功率 - 最大值:2W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
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