IPP200N15N3 G - Infineon
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图片信息
IPP200N15N3 G
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
单端场效应管,TO-220-3
技术参数:
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
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IPP200N15N3 G 技术参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:IPP200N15N3 G
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
系列:OptiMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):50A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):20 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 90A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1820pF @ 75V
功率 - 最大值:150W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220-3
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