IGOT60R042D1AUMA2 技术参数详情：
- 型号:IGOT60R042D1AUMA2
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:PG-DSO-20-87
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:GANFET N-CH
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PG-DSO-20-87
- 封装/外壳:20-PowerSOIC（0.433
- 快速提供IGOT60R042D1AUMA2专业且全面的报价，Infineon代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
