FF450R12ME3BOSA1 - Infineon
Infineon代理商
全球现货渠道
强大的现货交付能力,轻松满足您的射频微波器件采购需求
首页
产品中心
典型品牌
热门器件
行业新闻
关于我们
联系我们
热门关注品牌:
Sunlord
Jaro
Semitec
Apex Tool Group
BJ-USA
ept
图片信息
FF450R12ME3BOSA1
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块,封装:模块
技术参数:
IGBT MOD 1200V 600A 2100W MOD
需要FF450R12ME3BOSA1的报价? 那就马上联系我们吧!
最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购
FF450R12ME3BOSA1 技术参数详情:
型号:FF450R12ME3BOSA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:模块
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
描述:IGBT MOD 1200V 600A 2100W MOD
包装:散装
产品状态:最后售卖
IGBT 类型:沟槽型场截止
配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 A
功率 - 最大值:2100 W
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):5 mA
不同Vce 时输入电容 (Cies):32 nF @ 25 V
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
快速提供
FF450R12ME3BOSA1
专业且全面的报价,
Infineon代理
货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多Infineon产品:
IPB011N04N G
单端场效应管
CY7C024-55JXCT
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
BCP5416H6433XTMA1
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
MB90428GAVPF-GS-335
嵌入式 - 微控制器
IPI65R420CFD
单端场效应管
IPA60R170CFD7XKSA1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
T580N06TOFXPSA1
晶闸管 - SCR - 模块
MB89665PF-GT-147-BND
嵌入式 - 微控制器
MB90F455SPMT-GS
嵌入式 - 微控制器
CY9BF512RPMC-G-JNE2
嵌入式 - 微控制器
MAX6314US46D1+T
监控器芯片
MAX3120CSA+T
集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
MAX6869UK45D4S+T
监控器芯片
SIT8208AC-G2-28E-33.000000X
晶体,振荡器,谐振器 > 振荡器
SIT8208AC-82-28S-16.367667
晶体,振荡器,谐振器 > 振荡器
Infineon公司授权代理商
Dow-Key
Energy Re-Connect
Amtery
Nicomatic
Sharp
FF450R12ME3BOSA1
(制造商:Infineon) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台