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FD200R12KE3HOSA1 - Infineon
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图片信息
FD200R12KE3HOSA1 图片
FD200R12KE3HOSA1
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块，封装:模块
  • 技术参数：IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE
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FD200R12KE3HOSA1 技术参数详情：
  • 型号:FD200R12KE3HOSA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:模块
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 描述:IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 配置:单斩波器
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:-
  • 功率 - 最大值:1050 W
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，200A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:5 mA
  • 不同Vce 时输入电容 (Cies):14 nF @ 25 V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:无
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:模块
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