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BUZ31 H - Infineon
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图片信息
BUZ31 H 图片
BUZ31 H
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：单端场效应管，PG-TO220-3
  • 技术参数：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
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BUZ31 H 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：BUZ31 H
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
  • 系列：SIPMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：14.5A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 9A，5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1120pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：95W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商器件封装：PG-TO220-3
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