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BG 3430R H6327 - Infineon
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图片信息
BG 3430R H6327 图片
BG 3430R H6327
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：RF场效应管，PG-SOT363-6
  • 技术参数：MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
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BG 3430R H6327 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：BG 3430R H6327
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 N-通道（双）
  • 频率：800MHz
  • 增益：25dB
  • 电压 - 测试：5V
  • 额定电流：25mA
  • 噪声系数：1.3dB
  • 电流 - 测试：14mA
  • 功率 - 输出：-
  • 电压 - 额定：8V
  • 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装：PG-SOT363-6
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