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BAR 81W H6327 - Infineon
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图片信息
BAR 81W H6327 图片
BAR 81W H6327
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：RF二极管，PG-SOT343-4
  • 技术参数：DIODE RF SW 30V 100MA SOT343
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BAR 81W H6327 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：BAR 81W H6327
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：DIODE RF SW 30V 100MA SOT343
  • 系列：-
  • 二极管类型：标准 - 单
  • 电压 - 峰值反向（最大值）：30V
  • 电流 - 最大值：100mA
  • 不同 Vr、F 时的电容：0.9pF @ 3V，1MHz
  • 不同 If、F 时的电阻：1 欧姆 @ 5mA，100MHz
  • 功率耗散（最大值）：100mW
  • 封装/外壳：SC-82A，SOT-343
  • 供应商器件封装：PG-SOT343-4
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