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- 制造厂家：IXYS
- 类别封装：晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列（分立半导体），Y3-Li
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
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VMM650-01F 技术参数详情：
- 产品型号:VMM650-01F
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列（分立半导体）
- 产品描述:MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
- 产品封装:Y3-Li
- 产品系列:HiPerFET
- 包装:盒
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):680A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 500A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 30mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:1440nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:Y3-Li
- 供应商器件封装:Y3-Li
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