- 制造厂家:IXYS
- 类别封装:晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体),SOT-227-4,miniBLOC
- 技术参数:IGBT
- 需要IXYN150N60B3的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购

IXYN150N60B3 技术参数详情:
- 产品型号:IXYN150N60B3
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 产品描述:IGBT
- 产品封装:SOT-227-4,miniBLOC
- 产品系列:XPT, GenX3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):250 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):750 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,150A
- 功率 - 最大值:830 W
- 开关能量:4.2mJ(开),2.6mJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:260 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:27ns/167ns
- 测试条件:400V,75A,2 欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):88 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商器件封装:SOT-227B
- 快速提供IXYN150N60B3专业且全面的报价,IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。

更多IXYS产品:
其它(五金件,紧固件,配件)
晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
固态继电器(继电器)
电源管理(PMIC) > 栅极驱动器(集成电路(
晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
晶闸管 > SCR(分立半导体)
晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
二极管 > 整流器 > 单二极管(分立半导体)
晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
矩形连接器 > 针座,公插针(连接器,互连器
RF 其它 IC 和模块(射频和无线)
保险丝(电路保护)
评估板 > 射频评估和开发套件,板(开发板,
扬声器(音频产品)

IXYN150N60B3(制造商:IXYS) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台



