图片信息
- 制造厂家：IXYS
- 类别封装：晶体管 > IGBT > IGBT 模块（分立半导体），SOT-227-4，miniBLOC
- 技术参数：IGBT 1200V 110A GEN4 XPT SOT227B
- 需要IXYN110N120C4的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
IXYN110N120C4 技术参数详情：
- 产品型号:IXYN110N120C4
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > IGBT 模块（分立半导体）
- 产品描述:IGBT 1200V 110A GEN4 XPT SOT227B
- 产品封装:SOT-227-4，miniBLOC
- 产品系列:XPT
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 配置:单路
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:220 A
- 功率 - 最大值:830 W
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，110A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:50 μA
- 不同?Vce 时输入电容 (Cies):5.42 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:无
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商器件封装:SOT-227
- 快速提供IXYN110N120C4专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多IXYS产品：
晶闸管 > SCR 模块（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
固态继电器（继电器）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶闸管 > SCR 模块（分立半导体）
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列（
固态继电器（继电器）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
射频环行器和隔离器（射频和无线）
压接器，压接机，压力机 > 压接器，压接机，
矩形连接器 > 针座，公插针（连接器，互连器
片式电阻器 - 表面贴装（电阻器）
RF 其它 IC 和模块（射频和无线）
IXYN110N120C4（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台