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IXTD3N50P-2J - IXYS
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IXYS产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IXTD3N50P-2J 图片
IXTD3N50P-2J
  • 制造厂家：IXYS（力特 Littelfuse，艾赛斯）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：模具
  • 技术参数：MOSFET N-CH 500V 3A DIE
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IXTD3N50P-2J 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IXTD3N50P-2J
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 500V 3A DIE
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：PolarHV
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：500V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 1.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 50A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：9.3nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：409pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：模具
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