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IXGQ20N120B - IXYS
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图片信息
IXGQ20N120B 图片
IXGQ20N120B
  • 制造厂家：IXYS（力特 Littelfuse，艾赛斯）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3
  • 技术参数：IGBT 1200V 40A 190W TO3P
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IXGQ20N120B 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IXGQ20N120B
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：IGBT 1200V 40A 190W TO3P
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：PT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：40A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：100A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：3.4V @ 15V，20A
  • 功率-最大值：190W
  • 开关能量：2.1mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：62nC
  • 25°C时Td（开/关）值：20ns/270ns
  • 测试条件：960V，20A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：40ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-3P-3，SC-65-3
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