- 制造厂家:IXYS
- 类别封装:晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体),TO-247-3
- 技术参数:IGBT 1200V 40A 190W TO247
- 需要IXGH20N120B的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购

IXGH20N120B 技术参数详情:
- 产品型号:IXGH20N120B
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 产品描述:IGBT 1200V 40A 190W TO247
- 产品封装:TO-247-3
- 产品系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:PT
- 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):3.4V @ 15V,20A
- 功率 - 最大值:190 W
- 开关能量:2.1mJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:72 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:25ns/150ns
- 测试条件:960V,20A,10 欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247AD
- 快速提供IXGH20N120B专业且全面的报价,IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。

更多IXYS产品:
晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
固态继电器(继电器)
晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
二极管 > 整流器 > 单二极管(分立半导体)
电源管理(PMIC) > 栅极驱动器(集成电路(
二极管 > 桥式整流器(分立半导体)
晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
二极管 > 整流器 > 二极管阵列(分立半导体
射频混频器(射频和无线)
圆形连接器 > 圆形连接器组件(连接器,互连
评估板 > 扩展板,子卡(开发板,套件,编程
射频环行器和隔离器(射频和无线)
片式电阻器 - 表面贴装(电阻器)

IXGH20N120B(制造商:IXYS) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台



