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IXGA8N100 技术参数详情：
- 产品型号:IXGA8N100
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
- 产品描述:IGBT 1000V 16A 54W TO263
- 产品封装:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 产品系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:PT
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1000 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，8A
- 功率 - 最大值:54 W
- 开关能量:2.3mJ（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:26.5 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/600ns
- 测试条件:800V，8A，120 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263AA
- 快速提供IXGA8N100专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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