- 制造厂家:IXYS
- 类别封装:晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体),TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- 技术参数:IGBT 1200V 36A 180W TO263
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IXGA20N120B3 技术参数详情:
- 产品型号:IXGA20N120B3
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 产品描述:IGBT 1200V 36A 180W TO263
- 产品封装:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- 产品系列:GenX3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:PT
- 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):36 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):3.1V @ 15V,16A
- 功率 - 最大值:180 W
- 开关能量:920μJ(开),560μJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:51 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:16ns/150ns
- 测试条件:600V,16A,15 欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263AA
- 快速提供IXGA20N120B3专业且全面的报价,IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。

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