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IXFN21N100Q - IXYS
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图片信息
IXFN21N100Q 图片
IXFN21N100Q
  • 制造厂家：IXYS（力特 Littelfuse，艾赛斯）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SOT-227B
  • 技术参数：MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
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IXFN21N100Q 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IXFN21N100Q
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：HiPerFET
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：1000V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：21A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：500 毫欧 @ 500mA，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 4mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：170nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5900pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：520W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 器件封装：SOT-227B
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