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IXFK120N20 - IXYS
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IXYS产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IXFK120N20 图片
IXFK120N20
  • 制造厂家：IXYS（力特 Littelfuse，艾赛斯）
  • 类别封装：单端场效应管，TO-264AA
  • 技术参数：MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
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IXFK120N20 技术参数详情：
  • IXYS公司完整型号：IXFK120N20
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
  • 系列：HiPerFET
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：17 毫欧 @ 60A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：300nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9100pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：560W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA
  • 供应商器件封装：TO-264AA （IXFK）
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