IS43LD16640A-3BL - ISSI
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图片信息
IS43LD16640A-3BL
制造厂家:
ISSI(芯成半导体)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:134-TFBGA(10x11.5)
技术参数:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
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IS43LD16640A-3BL 技术参数详情:
型号:IS43LD16640A-3BL
品牌:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc (ISSI,芯成半导体)
封装:134-TFBGA(10x11.5)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
系列:-
包装:托盘
产品状态:南皇电子 停止提供
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
存储容量:1Gb
存储器组织:64M x 16
存储器接口:并联
时钟频率:333 MHz
写周期时间 - 字,页:15ns
访问时间:-
电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
工作温度:0°C ~ 85°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:134-TFBGA
供应商器件封装:134-TFBGA(10x11.5)
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