IRLB3036PBF - IR
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图片信息
IRLB3036PBF
制造厂家:
IR(International Rectifier,英飞凌INFINEON)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220AB
技术参数:
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
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IRLB3036PBF 技术参数详情:
型号:IRLB3036PBF
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:TO-220AB
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):195A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.4 毫欧 @ 165A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):140 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):11210 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):380W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220AB
封装/外壳:TO-220-3
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