射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
IRFH5406TR2PBF - IR
IR代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
IR产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IRFH5406TR2PBF 图片
IRFH5406TR2PBF
  • 制造厂家：IR（International Rectifier，英飞凌INFINEON）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-PQFN（5x6）
  • 技术参数：MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN
  • 需要IRFH5406TR2PBF的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
IRFH5406TR2PBF 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IRFH5406TR2PBF
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：*
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Ta），40A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14.4 毫欧 @ 24A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 50A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1256pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：-
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-PQFN（5x6）
  • 快速提供IRFH5406TR2PBF专业且全面的报价，IR代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
IR品牌LOGO
更多IR产品：
IR公司授权代理商
ITECH
Magnetic Shield
JonDeTech
RAFI
ZF
IRFH5406TR2PBF（制造商：IR） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台