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IRF5802TRPBF - IR
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图片信息
IRF5802TRPBF 图片
IRF5802TRPBF
  • 制造厂家：IR（International Rectifier，英飞凌INFINEON）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:Micro6（TSOP-6）
  • 技术参数：MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
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IRF5802TRPBF 技术参数详情：
  • 型号:IRF5802TRPBF
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:Micro6（TSOP-6）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 540mA，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.8 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:88 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:Micro6（TSOP-6）
  • 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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