70V639S10BF8 - IDT
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图片信息
70V639S10BF8
制造厂家:
IDT(Integrated Device Technology,RENESAS瑞萨)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:208-CABGA(15x15)
技术参数:
IC SRAM 2.25MBIT PAR 208CABGA
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70V639S10BF8 技术参数详情:
型号:70V639S10BF8
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:208-CABGA(15x15)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC SRAM 2.25MBIT PAR 208CABGA
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:易失
存储器格式:SRAM
技术:SRAM - 双端口,异步
存储容量:2.25Mb
存储器组织:128K x 18
存储器接口:并联
时钟频率:-
写周期时间 - 字,页:10ns
访问时间:10 ns
电压 - 供电:3.15V ~ 3.45V
工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:208-LFBGA
供应商器件封装:208-CABGA(15x15)
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