射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
GSES12VD1006-2B - Good-Ark
Good-Ark代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Good-Ark产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
GSES12VD1006-2B 图片
GSES12VD1006-2B
  • 制造厂家：Good-Ark (Good-Ark Semiconductor, 固锝)
  • 类别封装：电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管，封装:DFN1006-2L
  • 技术参数：TVS DIODE 12VWM 26VC DFN10062L
  • 需要GSES12VD1006-2B的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
GSES12VD1006-2B 技术参数详情：
  • 型号:GSES12VD1006-2B
  • 品牌:Good-Ark Semiconductor (Good-Ark,固锝)
  • 封装:DFN1006-2L
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 12VWM 26VC DFN10062L
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 类型:-
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态（典型值）:12V（最大）
  • 电压 - 击穿（最小值）:13.3V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:26V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):5A（8/20s）
  • 功率 - 峰值脉冲:150W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:CAN
  • 不同频率时电容:9.3pF @ 1MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DFN1006
  • 供应商器件封装:DFN1006-2L
  • 快速提供GSES12VD1006-2B专业且全面的报价，Good-Ark代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Good-Ark品牌LOGO
更多Good-Ark产品：
Good-Ark公司授权代理商
IXYS
SkyMirr
Dow-Key
Nicomatic
ICE Components
GSES12VD1006-2B（制造商：Good-Ark） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台