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GC11N65M - Goford
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图片信息
GC11N65M 图片
GC11N65M
  • 制造厂家：Goford (Goford Semiconductor, 高福特)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-263
  • 技术参数：N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
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GC11N65M 技术参数详情：
  • 型号:GC11N65M
  • 品牌:Goford Semiconductor (Goford)
  • 封装:TO-263
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
  • 包装:剪切带（CT）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:768 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:78W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-263
  • 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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