GD9AS4G8F3ALGJ - GigaDevice
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图片信息
GD9AS4G8F3ALGJ
制造厂家:
GigaDevice(兆易创新)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:63-FBGA(9x11)
技术参数:
PARALLEL NAND FLASH
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GD9AS4G8F3ALGJ 技术参数详情:
型号:GD9AS4G8F3ALGJ
品牌:GigaDevice Semiconductor (HK) Limited (GigaDevice,兆易创新)
封装:63-FBGA(9x11)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:PARALLEL NAND FLASH
包装:托盘
产品状态:在售
南皇电子 可编程:-
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NAND(SLC)
存储容量:4Gb
存储器组织:512M x 8
存储器接口:并联
时钟频率:-
写周期时间 - 字,页:25ns
访问时间:22 ns
电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:63-VFBGA
供应商器件封装:63-FBGA(9x11)
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