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GD25R512MEYIGR - GigaDevice
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图片信息
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GD25R512MEYIGR
  • 制造厂家：GigaDevice（兆易创新）
  • 类别封装：集成电路（IC） > 存储器 > 存储器，封装:8-WSON（6x8）
  • 技术参数：IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
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GD25R512MEYIGR 技术参数详情：
  • 型号:GD25R512MEYIGR
  • 品牌:GigaDevice Semiconductor (HK) Limited (GigaDevice,兆易创新)
  • 封装:8-WSON（6x8）
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:-
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR（SLC）
  • 存储容量:512Mb
  • 存储器组织:64M x 8
  • 存储器接口:SPI - 四 I/O，DTR
  • 时钟频率:200 MHz
  • 写周期时间 - 字，页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-WDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:8-WSON（6x8）
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