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MSRT20060(A)D - GeneSiC
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GeneSiC产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
MSRT20060(A)D 图片
MSRT20060(A)D
  • 制造厂家：GeneSiC
  • 类别封装：二极管 - 整流器 - 阵列，封装：三塔
  • 技术参数：DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
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MSRT20060(A)D 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MSRT20060(A)D
  • 制造商：GeneSiC Semiconductor (已被Navitas纳微半导体收购)
  • 描述：DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
  • 系列：二极管 - 整流器 - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • 二极管配置：1 对串联
  • 二极管类型：标准
  • 电压-DC反向(Vr)（最大值）：600V
  • 电流-平均整流(Io)（每二极管）：200A
  • 不同If时电压-正向(Vf)：1.1V @ 200A
  • 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 不同Vr时电流-反向泄漏：10A @ 600V
  • 工作温度-结：-55°C ~ 150°C
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：三塔
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