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1N3767 - GeneSiC
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图片信息
1N3767 图片
1N3767
  • 制造厂家：GeneSiC
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管，封装:DO-5
  • 技术参数：DIODE STANDARD 900V 35A DO5
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1N3767 技术参数详情：
  • 型号:1N3767
  • 品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
  • 封装:DO-5
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE STANDARD 900V 35A DO5
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:900 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):35A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 35 A
  • 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 A @ 50 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座，接线柱安装
  • 封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱
  • 供应商器件封装:DO-5
  • 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C
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