射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
GE1211103A1 - GE
GE代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
GE产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
GE1211103A1 图片
GE1211103A1
  • 制造厂家：GE (GE Aerospace, 通用电气)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-247-4L
  • 技术参数：SiC MOSFET
  • 需要GE1211103A1的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
GE1211103A1 技术参数详情：
  • 型号:GE1211103A1
  • 品牌:GE公司 (GE Aerospace, General Electric Company, 通用电气)
  • 封装:TO-247-4L
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:SiC MOSFET
  • 系列:-
  • 包装:零售封装
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):111A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 20mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:172 nC @ 900 V
  • Vgs（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3982 pF @ 500 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:660W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247-4L
  • 封装/外壳:TO-247-4L
  • 快速提供GE1211103A1专业且全面的报价，GE代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
GE品牌LOGO
更多GE产品：
GE公司授权代理商
Guerrilla RF
Twin Industries
AKM
Yenyo
Unictron
GE1211103A1（制造商：GE） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台