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GE1206003A1 - GE
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图片信息
GE1206003A1 图片
GE1206003A1
  • 制造厂家：GE (GE Aerospace, 通用电气)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-247-4L
  • 技术参数：SiC MOSFET N-Channel 1200V 60A
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GE1206003A1 技术参数详情：
  • 型号:GE1206003A1
  • 品牌:GE公司 (GE Aerospace, General Electric Company, 通用电气)
  • 封装:TO-247-4L
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:SiC MOSFET N-Channel 1200V 60A
  • 系列:-
  • 包装:零售封装
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:39mOhm @ 41A, 20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 10.7mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 900 V
  • Vgs（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2120 pF @ 500 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:389W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247-4L
  • 封装/外壳:-
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