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GE12090CDA3 - GE
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图片信息
GE12090CDA3 图片
GE12090CDA3
  • 制造厂家：GE (GE Aerospace, 通用电气)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:模块
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 1200V 875A MODULE
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GE12090CDA3 技术参数详情：
  • 型号:GE12090CDA3
  • 品牌:GE公司 (GE Aerospace, General Electric Company, 通用电气)
  • 封装:模块
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 1200V 875A MODULE
  • 系列:*
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 技术:碳化硅（SiC）
  • 配置:2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):875A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.19 毫欧 @ 950A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 320mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:58600pF @ 600V
  • 功率 - 最大值:2350W
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:模块
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