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FQB3N90TM - Fairchild
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图片信息
FQB3N90TM 图片
FQB3N90TM
  • 制造厂家：Fairchild（ONSEMI安森美，仙童）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：DPAK（TO-263AB）
  • 技术参数：MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
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FQB3N90TM 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：FQB3N90TM
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：QFET
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：900V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.6A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.25 欧姆 @ 1.8A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：910pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），130W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：DPAK（TO-263AB）
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