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Fairchild产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
FDS3570 图片
  • 制造厂家:Fairchild(ONSEMI安森美,仙童)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-SOIC
  • 技术参数:MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
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FDS3570 技术参数详情:
  • 型号:FDS3570
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):76 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2750 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154
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