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DI200N10D2 - Diotec
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图片信息
DI200N10D2 图片
DI200N10D2
  • 制造厂家：Diotec (Diotec Semiconductor, 迪奥特)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-263AB（D2PAK）
  • 技术参数：MOSFET N-CH 100V 200A TO-263-3
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DI200N10D2 技术参数详情：
  • 型号:DI200N10D2
  • 品牌:Diotec Semiconductor (Diotec)
  • 封装:TO-263AB（D2PAK）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO-263-3
  • 系列:-
  • 包装:剪切带（CT）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3mOhm @ 120A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:262 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:16800 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:340W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-263AB（D2PAK）
  • 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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