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DI006H03SQ - Diotec
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图片信息
DI006H03SQ 图片
DI006H03SQ
  • 制造厂家：Diotec (Diotec Semiconductor, 迪奥特)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-SO
  • 技术参数：MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
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DI006H03SQ 技术参数详情：
  • 型号:DI006H03SQ
  • 品牌:Diotec Semiconductor (Diotec)
  • 封装:8-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N 和 2 P 沟道（全桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A (Ta), 4.2A (Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590pF @ 15V, 631pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.5W（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SO
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