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DMN32D0LVQ-13 - Diodes
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图片信息
DMN32D0LVQ-13 图片
DMN32D0LVQ-13
  • 制造厂家：Diodes（达尔科技，美台半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:SOT-563
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
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DMN32D0LVQ-13 技术参数详情：
  • 型号:DMN32D0LVQ-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-563
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N-通道（双）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):680mA（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 100mA，4V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.62nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:44.8pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:480mW（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装:SOT-563
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