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GES6016 TIN/LEAD - Central
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图片信息
GES6016 TIN/LEAD 图片
GES6016 TIN/LEAD
  • 制造厂家：Central（Central Semiconductor）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管，封装:TO-92-3
  • 技术参数：60V 800MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
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GES6016 TIN/LEAD 技术参数详情：
  • 型号:GES6016 TIN/LEAD
  • 品牌:Central Semiconductor Corp (Central Semi)
  • 封装:TO-92-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
  • 描述:60V 800MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
  • 系列:-
  • 包装:盒
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:800 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:60 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:500mV @ 50mA，500mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:170 @ 100mA，1V
  • 功率 - 最大值:625 mW
  • 频率 - 跃迁:425MHz
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
  • 供应商器件封装:TO-92-3
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