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CMLDM8120 TR - Central
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图片信息
CMLDM8120 TR 图片
CMLDM8120 TR
  • 制造厂家：Central（Central Semiconductor）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SOT-563
  • 技术参数：MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
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CMLDM8120 TR 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：CMLDM8120 TR
  • 制造商：Central Semiconductor Corp
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：860mA（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：150 毫欧 @ 950mA，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：3.56nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：200pF @ 16V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：150mW（Ta）
  • 工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SOT-563
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