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MSQ30N10D - Bruckewell
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图片信息
MSQ30N10D 图片
MSQ30N10D
  • 制造厂家：Bruckewell
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-SOP
  • 技术参数：N Channel MOSFET,Dual,30V,SOP-8
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MSQ30N10D 技术参数详情：
  • 型号:MSQ30N10D
  • 品牌:Bruckewell公司
  • 封装:8-SOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:N Channel MOSFET,Dual,30V,SOP-8
  • 系列:*
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N-通道（双）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
  • 功率 - 最大值:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SOP
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